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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
54
周辺 -157% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
21
読み出し速度、GB/s
9.2
18.1
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
3211
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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