RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 54
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2756

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
メモリRAM