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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
54
周辺 -125% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.9
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
24
読み出し速度、GB/s
9.2
15.9
書き込み速度、GB/秒
8.1
8.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2326
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB RAMの比較
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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