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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
54
周辺 -80% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.7
9.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
30
読み出し速度、GB/s
9.2
12.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
2147
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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