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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Kingston K1CXP8-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 54
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2790

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Kingston X75V1H-MIE 32GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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INTENSO M418039 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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