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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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考慮すべき理由
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
54
周辺 -145% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
9.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
22
読み出し速度、GB/s
9.2
18.4
書き込み速度、GB/秒
8.1
14.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
3394
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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