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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
総合得点
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
77
周辺 30% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
6.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
9.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
77
読み出し速度、GB/s
9.2
13.6
書き込み速度、GB/秒
8.1
6.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2105
1549
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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