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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 54
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2814

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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