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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 54
    周辺 -59% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2416

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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