RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 61
    周辺 11% 低遅延
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 61
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 2113

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
メモリRAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
メモリRAM