RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 54
    周辺 -125% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    9.2 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2105 left arrow 3095

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAMの比較

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
メモリRAM
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
メモリRAM