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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB vs SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
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SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 50
    周辺 -39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 7.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    9.6 left arrow 9.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.4 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2082 left arrow 2067

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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メモリRAM
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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