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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
63
周辺 -186% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
22
読み出し速度、GB/s
8.1
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.5
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3057
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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