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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
63
周辺 -91% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10.4
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
33
読み出し速度、GB/s
8.1
10.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
8.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2283
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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