RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 63
    周辺 -133% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3632

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
メモリRAM