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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
63
周辺 -152% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.2
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
25
読み出し速度、GB/s
8.1
19.0
書き込み速度、GB/秒
7.5
15.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3541
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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