RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 63
    周辺 -97% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 2612

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
メモリRAM