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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
比較する
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
総合得点
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
63
73
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.4
8.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.8
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
73
読み出し速度、GB/s
8.1
14.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
7.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1945
1842
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
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