RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 63
    周辺 -133% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 2373

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM