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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
総合得点
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
66
周辺 -144% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
7.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
27
読み出し速度、GB/s
7.3
15.5
書き込み速度、GB/秒
6.6
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1760
2628
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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