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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
49
周辺 -75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.7
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
28
読み出し速度、GB/s
10.0
19.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
15.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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