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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
49
周辺 -113% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.7
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
20.2
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
23
読み出し速度、GB/s
10.0
20.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
20.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2116
4247
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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