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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
49
周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
33
読み出し速度、GB/s
10.0
16.3
書き込み速度、GB/秒
8.2
12.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3137
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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