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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 49
    周辺 -44% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2116 left arrow 2789

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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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