RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 48
    周辺 44% 低遅延
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2080

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
メモリRAM