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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3257

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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