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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 34
    周辺 21% 低遅延
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB 考慮すべき理由
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 10.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2796

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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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