RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3385

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
メモリRAM
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
メモリRAM