RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 30
    周辺 10% 低遅延
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3462

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
Mushkin 994104 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
メモリRAM