Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

総合得点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 34

周辺 21% 低遅延

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.4 11.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

16.1 7.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 12800

周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 34
読み出し速度、GB/s

11.8 16.4
書き込み速度、GB/秒

7.3 16.1
メモリ帯域幅、mbps

12800 25600

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2057 3324

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB

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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

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Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB

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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

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