RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 27
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 12.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3122

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB RAMの比較

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
メモリRAM