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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比較する
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
86
周辺 69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
5.7
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.1
11.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
86
読み出し速度、GB/s
11.8
12.1
書き込み速度、GB/秒
7.3
5.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2057
1220
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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