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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
比較する
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9965667-001.A00G 16GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
総合得点
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
39
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
39
読み出し速度、GB/s
11.8
10.1
書き込み速度、GB/秒
7.3
7.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2057
2168
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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