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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
27
読み出し速度、GB/s
11.8
13.7
書き込み速度、GB/秒
7.3
8.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2057
2193
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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