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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比較する
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
総合得点
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
58
周辺 53% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
7.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
58
読み出し速度、GB/s
11.8
17.7
書き込み速度、GB/秒
7.3
9.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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