RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
AMD R744G2400U1S 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2400U1S 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 42
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 2862

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
メモリRAM