RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 42
    周辺 -62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.2 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 21.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 16.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3755

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
メモリRAM