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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

総合得点
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 54
    周辺 22% 低遅延
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 2511

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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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