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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
比較する
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
総合得点
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
75
76
周辺 1% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
6.4
2,072.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
76
読み出し速度、GB/s
2,730.3
13.6
書き込み速度、GB/秒
2,072.7
6.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
1624
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
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