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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

総合得点
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 17.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,072.7 left arrow 13.1
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 75
    周辺 -226% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 13.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 2989

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