RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.3
    テスト平均値
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB 考慮すべき理由
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 73
    周辺 -181% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 3312

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
メモリRAM