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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
73
周辺 -161% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
16.9
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
28
読み出し速度、GB/s
3,510.5
17.8
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
16.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
476
3898
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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