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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比較する
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
73
周辺 -121% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
33
読み出し速度、GB/s
3,510.5
16.2
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
11.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
476
3048
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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