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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
比較する
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
73
周辺 -87% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
39
読み出し速度、GB/s
3,510.5
13.2
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
10.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
476
2651
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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