Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

総合得点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 14.1

テスト平均値

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 73

周辺 -128% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

10.6 1,423.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 5300

周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

73 32
読み出し速度、GB/s

3,510.5 14.1
書き込み速度、GB/秒

1,423.3 10.6
メモリ帯域幅、mbps

5300 21300

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

476 2769

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB

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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

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AMD R5S38G1601U2S 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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