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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

総合得点
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
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SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    73 left arrow 76
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 3
    テスト平均値
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,482.6 left arrow 1,423.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 76
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 3,336.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 1,482.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 497

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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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