RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.9
    テスト平均値
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB 考慮すべき理由
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 73
    周辺 -74% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 2735

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
メモリRAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
メモリRAM