Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

総合得点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 15.5

テスト平均値

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 69

周辺 -86% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 1,441.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 37
読み出し速度、GB/s

3,325.1 15.5
書き込み速度、GB/秒

1,441.2 12.5
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

525 2813

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB