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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
比較する
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
総合得点
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
総合得点
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
69
周辺 -130% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
1,441.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
30
読み出し速度、GB/s
3,325.1
17.4
書き込み速度、GB/秒
1,441.2
13.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
525
3454
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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