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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KYXC0V-MID 16GB

総合得点
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
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Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.2
    テスト平均値
Kingston KYXC0V-MID 16GB 考慮すべき理由
Kingston KYXC0V-MID 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 69
    周辺 -92% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2903

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Teclast TLD416G26A30 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
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メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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